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MT3S20P分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

MT3S20P

参数属性

MT3S20P 封装/外壳为TO-243AA;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI

功能描述

VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications

封装外壳

TO-243AA

文件大小

185.16 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

TOSHIBA

中文名称

东芝

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-3 12:00:00

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产品属性

  • 产品编号:

    MT3S20P(TE12L,F)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    7GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.45dB @ 1GHz

  • 增益:

    16.5dB

  • 功率 - 最大值:

    1.8W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 50mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    80mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    PW-MINI

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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