MT3S20P分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
MT3S20P |
| 参数属性 | MT3S20P 封装/外壳为TO-243AA;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI |
| 功能描述 | VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications |
| 封装外壳 | TO-243AA |
| 文件大小 |
185.16 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | TOSHIBA |
| 中文名称 | 东芝 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-3 12:00:00 |
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产品属性
- 产品编号:
MT3S20P(TE12L,F)
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
12V
- 频率 - 跃迁:
7GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.45dB @ 1GHz
- 增益:
16.5dB
- 功率 - 最大值:
1.8W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 50mA,5V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
80mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-243AA
- 供应商器件封装:
PW-MINI
- 描述:
RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
2511 |
SOT-89 |
360000 |
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TOSHIBA |
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SOT89 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
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