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MT3S20P 分立半导体产品晶体管 - 双极(BJT)- 射频 TOSHIBA/东芝
- 详细信息
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产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
MT3S20P(TE12L,F)
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别:
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
12V
- 频率 - 跃迁:
7GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.45dB @ 1GHz
- 增益:
16.5dB
- 功率 - 最大值:
1.8W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 50mA,5V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
80mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-243AA
- 供应商器件封装:
PW-MINI
- 描述:
RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI
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