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| 1+ |
- 厂家型号：
MT3S111P(TE12L,F)
- 产品分类：
IC芯片
- 生产厂商：
- 库存数量：
95000
- 产品封装：
原厂封装
- 生产批号：
2022+
- 库存类型：
- 更新时间：
2024-6-15 14:15:00
MT3S111P(TE12L,F) 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 TOSHIBA/东芝
- 详细信息
- 规格书下载
产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号：
MT3S111P(TE12L,F)
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
6V
- 频率 - 跃迁：
8GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.25dB @ 1GHz
- 增益：
10.5dB
- 功率 - 最大值：
1W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 30mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-243AA
- 供应商器件封装：
PW-MINI
- 描述：
RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
供应商
- 企业：
深圳市鑫宇杨电子科技有限公司
- 商铺：
- 联系人：
肖先生/欧阳小姐
- 手机：
13670052109/17820397287
- 询价：
- 电话：
0755-36972287/0755-36972287
- 传真：
0755-83950482
- 地址：
深圳市福田区赛格科技园四栋西//香港九龙观塘鸿图大道55号京泰大厦1806室
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