MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR中文资料IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ数据手册Micron规格书
| 厂商型号 |
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR |
| 参数属性 | MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR 封装/外壳为132-VBGA；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA |
| 功能描述 | IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ |
| 封装外壳 | 132-VBGA |
| 制造商 | Micron Micron Technology |
| 中文名称 | 美光 美光科技有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-30 20:00:00 |
| 人工找货 | MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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技术参数
- 制造商编号
：MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
- 生产厂家
：Micron
- 存储器格式
：闪存
- 技术
：FLASH - NAND
- 存储容量
：512Gb （64G x 8）
- 时钟频率
：333MHz
- 写周期时间 - 字，页
：-
- 存储器接口
：并联
- 电压 - 电源
：2.5V ~ 3.6V
- 工作温度
：0°C ~ 70°C（TA）
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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