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MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR中文资料IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA数据手册Micron规格书

厂商型号 |
MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR |
参数属性 | MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR 封装/外壳为132-VBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA |
功能描述 | IC FLASH 1.125T PARALLEL 132VBGA |
封装外壳 | 132-VBGA |
制造商 | Micron Micron Technology |
中文名称 | 美光 美光科技有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-30 18:29:00 |
人工找货 | MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
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技术参数
- 制造商编号
:MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR
- 生产厂家
:Micron
- 存储器格式
:闪存
- 技术
:FLASH - NAND
- 存储容量
:1.125Tb(144G x 8)
- 写周期时间 - 字,页
:-
- 存储器接口
:并联
- 电压 - 电源
:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度
:0°C ~ 70°C(TA)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MICRON |
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BGA |
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Micron |
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6200 |
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MICRON/美光 |
22+ |
BGA |
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MICRON/美光 |
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BGA |
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