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- 厂家型号:
MT29E3T08EUHBBM4-3:B
- 制造商:
- 库存数量:
0
- 类别:
- 包装:
托盘
- 更新时间:
2025-8-1 9:38:00
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托盘
2025-8-1 9:38:00
原厂料号:MT29E3T08EUHBBM4-3:B品牌:Micron Technology Inc.
资料说明:IC FLASH 3TB PARALLEL 333MHZ
MT29E3T08EUHBBM4-3:B是集成电路(IC) > 存储器。制造商ELPIDA/美光科技生产封装的MT29E3T08EUHBBM4-3:B存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
描述
MT29E3T08EUHBBM4-3
Micron Technology Inc.
集成电路(IC) > 存储器
托盘
非易失
闪存
闪存 - NAND
3Tb(384G x 8)
并联
2.5V ~ 3.6V
0°C ~ 70°C(TA)
IC FLASH 3TB PARALLEL 333MHZ
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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micron(镁光) |
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标准封装 |
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