MT29E2T08CUHBBM4-3:B_集成电路(IC) 存储器-镁光

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原厂料号:MT29E2T08CUHBBM4-3:B品牌:Micron Technology Inc.

资料说明:IC FLASH 2TB PARALLEL 333MHZ

MT29E2T08CUHBBM4-3:B是集成电路(IC) > 存储器。制造商MICRON/镁光生产封装的MT29E2T08CUHBBM4-3:B存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

  • 芯片型号:

    mt29e2t08cuhbbm4-3:b

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  • 企业简称:

    MICRON【镁光】详情

  • 厂商全称:

    Micron Technology Inc.

  • 中文名称:

    美国镁光科技有限公司

  • 资料说明:

    IC FLASH 2TB PARALLEL 333MHZ

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    MT29E2T08CUHBBM4-3

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    闪存 - NAND

  • 存储容量:

    2Tb(256G x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    2.5V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 描述:

    IC FLASH 2TB PARALLEL 333MHZ

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