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PNE20080CPE	文件：923.83 Kbytes Page：13 Pages	200V,2x4Adualcommoncathodehyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤4A(perdiode) •Switchingtime:trr≤30ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechno	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20080CPE-Q	文件：263.27 Kbytes Page：13 Pages	200V,2x4Adualcommoncathodehyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤4A(perdiode) •Switchingtime:trr≤30ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechno	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20080CPE-QZ	文件：263.27 Kbytes Page：13 Pages	200V,2x4Adualcommoncathodehyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤4A(perdiode) •Switchingtime:trr≤30ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechno	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20080CPEZ	文件：923.83 Kbytes Page：13 Pages	200V,2x4Adualcommoncathodehyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤4A(perdiode) •Switchingtime:trr≤30ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechno	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PNE20080EPE	文件：263.96 Kbytes Page：12 Pages	200V,8Ahyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits •Reversevoltage:VR≤200V •Forwardcurrent:IF≤8A •Switchingtime:trr≤30ns •Ptdopedlifetimecontrol •Lowinductance •PowerandflatleadSMDplasticpackage •Packageheighttypical0.95mm •Highpowercapabilityduetoclip-bondtechnology •Plan	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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产品属性

产品编号：
MSRT20080AD
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
散装
二极管配置：
1 对串联
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
200A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
三塔
供应商器件封装：
三塔
描述：
DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER

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