首页 >MSRT200100A>规格书列表
| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
MSRT200100A | High Surge Capability 文件:414.43 Kbytes 页数:3 Pages | GENESIC | GENESIC | |
MSRT200100A | THREE TOWER MODULES STANDARD RECTIFIERS 文件:402.82 Kbytes 页数:2 Pages | AMERICASEMI | AMERICASEMI | |
Silicon Standard Recovery Diode 文件:408.58 Kbytes 页数:3 Pages | GENESIC | GENESIC | ||
Silicon Standard Recovery Diode 文件:667.7 Kbytes 页数:3 Pages | GENESIC | GENESIC | ||
Silicon Standard Recovery Diode 文件:667.7 Kbytes 页数:3 Pages | GENESIC | GENESIC | ||
MSRT200100A | High Surge Capability | Navitas 纳微半导体 | Navitas | |
MSRT200100A | Package:三塔;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | |
Package:三塔;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
产品属性
- 产品编号:
MSRT200100A
- 制造商:
GeneSiC Semiconductor
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 包装:
散装
- 二极管配置:
1 对共阴极
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):
200A(DC)
- 速度:
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
- 工作温度 - 结:
-40°C ~ 175°C
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
三塔
- 供应商器件封装:
三塔
- 描述:
DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GeneSiC Semiconductor |
25+ |
三塔 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
IXFN |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
询价 | ||
GeneSiC |
1935+ |
N/A |
55 |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
询价 | ||
GENESIC |
25+ |
三塔 |
96 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
GeneSiC |
22+ |
NA |
55 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
GeneSiC Semiconductor |
22+ |
Three Tower |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
GeneSiC |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
询价 | ||
IXFN |
2023+ |
module |
48000 |
AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站 |
询价 |
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