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MSMXX043	文件：169.57 Kbytes Page：1 Pages	This specification applies to – MSMXX043 – Terminal Block 文件：169.57 Kbytes 页数：1 Pages	BLOCKMASTER-ELECTRONICS	BLOCKMASTER-ELECTRONICS
MS-P043	文件：246.68 Kbytes Page：4 Pages	Shipped in stick (300 pcs per pack) 文件：246.68 Kbytes 页数：4 Pages	AKM 旭化成微电子	AKM
MX043G	文件：183.1 Kbytes Page：4 Pages	RADIATION HARDENED SEGR-RESISTANT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Features • Harris FSC260R die • total dose: 100 kRAD(Si) within pre-radiation parameter limits • dose rate: 3 x 109RAD(Si)/sec @ 80BVDSS typical • dose rate: 2 x 1012RAD(Si)/sec @ ID £IDM typical • neutron: 1013 neutrons/cm2 within pre-radiation parameter limits • photocurrent: 17 nA/RAD(Si) 文件：183.1 Kbytes 页数：4 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
MX043J	文件：183.1 Kbytes Page：4 Pages	RADIATION HARDENED SEGR-RESISTANT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Features • Harris FSC260R die • total dose: 100 kRAD(Si) within pre-radiation parameter limits • dose rate: 3 x 109RAD(Si)/sec @ 80BVDSS typical • dose rate: 2 x 1012RAD(Si)/sec @ ID £IDM typical • neutron: 1013 neutrons/cm2 within pre-radiation parameter limits • photocurrent: 17 nA/RAD(Si) 文件：183.1 Kbytes 页数：4 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

更多MSMXX043供应商更新时间2026-1-19 14:01:00