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厂商型号

MX043J

功能描述

RADIATION HARDENED SEGR-RESISTANT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件大小

183.1 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

MICROSEMI

中文名称

美高森美

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-19 22:58:00

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MX043J规格书详情

特性 Features

• Harris FSC260R die

• total dose: 100 kRAD(Si) within pre-radiation parameter limits

• dose rate: 3 x 109RAD(Si)/sec @ 80BVDSS typical

• dose rate: 2 x 1012RAD(Si)/sec @ ID £IDM typical

• neutron: 1013 neutrons/cm2 within pre-radiation parameter limits

• photocurrent: 17 nA/RAD(Si)/sec typical

• rated Safe Operating Area Curve for Single event Effects

• rugged polysilicon gate cell structure with ultrafast body diode

• low inductance surface mount power package available with “J-leads” (MX043J) or “gullwing-leads” (MX043G)

• very low thermal resistance

• reverse polarity available upon request add suffix “R”st

产品属性

  • 型号:

    MX043J

  • 制造商:

    MICROSEMI

  • 制造商全称:

    Microsemi Corporation

  • 功能描述:

    RADIATION HARDENED SEGR-RESISTANT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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