订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>MSD602-RT1G>详情
MSD602-RT1G_ONSEMI/安森美半导体_两极晶体管 - BJT SS GP XSTR NPN 25V海天鸿电子
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
MSD602-RT1G
- 功能描述:
两极晶体管 - BJT SS GP XSTR NPN 25V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
PNP 集电极—基极电压
- VCBO:
集电极—发射极最大电压
- VCEO:
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO:
- 6 V
- 增益带宽产品fT:
直流集电极/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安装风格:
SMD/SMT
- 封装/箱体:
PowerFLAT 2 x 2
供应商
相近型号
- MSD602A-R
- MSD6100
- MSD602/WR
- MSD6100G
- MSD602(XB)
- MSD6100RLRA
- MSD602
- MSD6100RLRAG
- MSD6102
- MSD601TR1
- MSD6148TXA-LF
- MSD6148TXA-LF-TB
- MSD601-ST1G
- MSD6148TXA-LF-TL
- MSD-601ST1G
- MSD6148TXA-LF-TQ
- MSD6148TXA-LF-U4
- MSD601-ST1(YS)
- MSD6148TXA-LF-Z1-TN
- MSD601-ST1
- MSD6148TXC-LF-TB
- MSD601-SST1G
- MSD6148ZX-Z1
- MSD6150
- MSD601-S
- MSD6178ZX-LF-TN
- MSD601S
- MSD6178ZX-LF-TQ
- MSD6180KBET-XZ
- MSD601-RT2
- MSD6180KBQT
- MSD6180KBT
- MSD601-RT1SOT23-YR
- MSD6180KBT-003D
- MSD6180KBT-XZ
- MSD6180KR-003D
- MSD6180KR-003J
- MSD601-RT1G/YR
- MSD6180KR-TN
- MSD6180KR-TNIC
- MSD601-RT1G
- MSD6180KR-XZ
- MSD601-RT1/YR
- MSD6180KR-Z1-WL
- MSD6180KR-Z1-WL-SMC
- MSD601-RT1(YR)
- MSD6180KR-ZI-WL
- MSD601-RT1
- MSD6180ZBT
- MSD601RT1