MSD602-RT1G 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 ONSEMI/安森美半导体

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1+	面议

厂家型号：
MSD602-RT1G
产品分类：
芯片
生产厂商：
ON/安森美
库存数量：
100586
产品封装：
SOT-23
生产批号：
23+
库存类型：
优势库存
更新时间：
2025-7-31 20:00:00

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详细信息
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原厂料号：MSD602-RT1G品牌：ON/安森美

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MSD602-RT1G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商ON/安森美/onsemi生产封装SOT-23/TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的MSD602-RT1G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
MSD602-RT1G
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
内容页数：
3 页
文件大小：
89.42 kb
资料说明：
NPN General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount

产品属性

类型
描述
产品编号：
MSD602-RT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 30mA，300mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 150mA，10V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SC-59
描述：
TRANS NPN 50V 0.5A SC59

供应商

企业：
深圳市科芯源微电子有限公司
商铺：
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联系人：
林佳伟
手机：
13692203079
询价：
电话：
13692203079
地址：
深圳市福田区华强北街道深坊C座5102

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MSD602-RT1G

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