| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
首页>MSD601-RT1G>芯片详情
MSD601-RT1G 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 ONSEMI/安森美半导体
- 详细信息
- 规格书下载
原厂料号:MSD601-RT1G品牌:ON/安森美
ON/安森美全新特价MSD601-RT1G即刻询购立享优惠#长期有货
MSD601-RT1G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。制造商ON/安森美/onsemi生产封装SOT-23/TO-236-3,SC-59,SOT-23-3的MSD601-RT1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 类型
描述
- 产品编号:
MSD601-RT1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
- 包装:
管件
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 10mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
210 @ 2mA,10V
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SC-59
- 描述:
TRANS NPN 50V 0.1A SC59
供应商
相近型号
- MSD5029-102-NA0
- MSD6308RTC-Z1-Y6J
- MSD5017-V05
- MSD6308RTEC-SW
- MSD42WT1G
- MSD6308RT-YQJ
- MSD42T1G
- MSD6369IV-NBJ
- MSD42SWT1G
- MSD6486XT-8-00BN
- MSD40US151B
- MSD6486XTT-8-00EF
- MSD3663LSA-SW
- MSD65US151B
- MSD3553NBAT-005X
- MSD65US36B
- MSD3463GU-SW
- MSD6886NQGAT-8-00GH
- MSD3463GLAT-XO
- MSD6A338STT-003D
- MSD3458HBE-L-Z1
- MSD6A628VX-Z1-ST
- MSD3458HBE-L-SW
- MSD6A638EVC-ST
- MSD318LUM
- MSD6A648WYT-8-00B2
- MSD318LU
- MSD6A801
- MSD30US15B-D
- MSD6A801FVA-WR
- MSD309PX-LF-Z1
- MSD6A801UCZ-M01-DA0
- MSD309PX-LF-SG
- MSD6A848UVCT-8-00E5
- MSD309BT-Z1
- MSD6A918WV-WB-01
- MSD309BT-SW
- MSD6A928HP-0027
- MSD2714AT1G
- MSD6A938VPC-8-005F
- MSD209FG-LF-Z1
- MSD7342-103MEC
- MSD189CL-LF
- MSD7342-103MLC
- MSD1819A-RT1G
- MSD7342-104MLC
- MSD1583-683MED
- MSD7342-105MEC
- MSD1583-683ME
- MSD7342-105MLB




