MSCSM70VR1M03CT6AG数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列规格书PDF

描述 Description

•SiC Power MOSFET -Low RDS(on) -High temperature performance •Kelvin source for easy drive •Low stray inductance •High efficiency converter •Outstanding performance at high frequency operation •Stable temperature behavior •Direct mounting to heatsink (isolated package) •Low junction to case thermal resistance •RoHS Compliant

特性 Features

• Configuration: Vienna Rectifier
• VDSS (V): 700
• RDSon (mR) typ: 3
• Current (A) Tc=80C: 465
• Silicon Type: SiC MOSFET
• Package Type: SP6C

简介

MSCSM70VR1M03CT6AG属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的MSCSM70VR1M03CT6AG晶体管 - FET，MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。