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MSCC60VRM45TAPG数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列规格书PDF
| 厂商型号 |
MSCC60VRM45TAPG |
| 参数属性 | MSCC60VRM45TAPG 封装/外壳为模块；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列；产品描述：PM-MOSFET-COOLMOS-SP6P |
| 功能描述 | 600V/Vienna Rectifier/Si MOSFET modules |
| 封装外壳 | 模块 |
| 制造商 | Microchip Microchip Technology |
| 中文名称 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 20:00:00 |
| 人工找货 | MSCC60VRM45TAPG价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MSCC60VRM45TAPG规格书详情
描述 Description
Super junction MOSFETUltra low RDSonLow Miller capacitanceUltra low gate chargeAvalanche energy ratedKelvin source for easy driveLow stray inductanceInternal thermistor for temperature monitoring (optional)Outstanding performance at high frequency operationDirect mounting to heatsink (isolated package)Low junction to case thermal resistanceRoHS Compliant
特性 Features
Configuration: Vienna Rectifier
VDSS (V): 600
RDSon (mR) typ: 45
Current (A) Tc=80C: 40
Silicon type: Super Junction MOSFET
Package: SP6P
简介
MSCC60VRM45TAPG属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的MSCC60VRM45TAPG晶体管 - FET，MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。
技术参数
更多- 制造商编号
：MSCC60VRM45TAPG
- 生产厂家
：Microchip
- Status
：In Production
- Product Type
：Si Mosfet
- VDSS (V)
：600
- Current (A) Tc=80 C
：40
- RDSon (mR) typ
：45
- Silicon Type
：Super Junction Mosfet
- PKG
：SP6P
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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