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MSC83303中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

MSC83303

功能描述

RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

丝印标识

83303

封装外壳

.2502LFL(S010)

文件大小

93.34 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-3 13:42:00

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MSC83303规格书详情

DESCRIPTION

The MSC83303 is a common base hermetically sealed silicon NPN microwave power transistor utilizing an overlay, emitter site ballasted geometry with a refractory/gold metallization system. This device is capable of withstanding an infinite load VSWR at any phase angle under rated conditions. The MSC83303 is designed for Class C amplifier/oscillator applications in the 1.0 - 3.0 GHz frequency range.

■ REFRACTORY/GOLD METALLIZATION

■ EMITTER BALLASTED

■ VSWR CAPABILITY ∞:1 @ RATED CONDITIONS

■ HERMETIC STRIPAC® PACKAGE

■ POUT = 3.0 W MIN. WITH 7.0 dB GAIN @ 3.0 GHz

产品属性

  • 型号:

    MSC83303

  • 制造商:

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全称:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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