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MSC82306中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

MSC82306

功能描述

RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

文件大小

54.54 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

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数据手册

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更新时间

2026-1-31 20:00:00

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MSC82306规格书详情

DESCRIPTION

The MSC82306 is a common base hermetically sealed silicon NPN microwave power transistor utilizing a rugged overaly die geometry. This device is capable of withstanding 20:1 load VSWR at any phase angle under rated conditions.

The MSC82306 was designed for Class C Amplifier/Oscillator applications in the 1.5 - 2.3 GHz frequency range.

■ REFRACTORYGOLD METALLIZATION

■ VSWR CAPABILITY 20:1 @ RATED CONDITIONS

■ HERMETIC STRIPAC® PACKAGE

■ POUT = 5.5 W MIN. WITH 9.6 dB GAIN

产品属性

  • 型号:

    MSC82306

  • 制造商:

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全称:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

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