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MSC82307

RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

DESCRIPTION The MSC82307 is a common base hermetically sealed silicon NPN microwave power transistor utilizing a rugged overlay die geometry. This device is capable of withstanding 20:1 load VSWR at any phase angle under rated conditions. The MSC82307 was designed for Class C amplifier/oscillato

文件:51.44 Kbytes 页数:3 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

MSC82307

RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

ST

意法半导体

MSC8256TAG1000B

BGA

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市河锋鑫科技有限公司

MSC8256TVT1000B

BGA

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市河锋鑫科技有限公司

MSC8328P

BGA

MSTAR

详细参数

  • 型号:

    MSC82307

  • 制造商:

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全称:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

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TO-59
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783-FCPBGA(29x29)
56300
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BGA-783
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783-BBGA
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恩XP
22+
783FCPBGA
9000
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更多MSC82307供应商 更新时间2026-4-17 16:01:00