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MSC81111	文件：17.4 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The MSC81111 is Designed for Class C Amplifier Applicatioons from 0.4 to 1.2 GHz, Supplied in Common Base Package. 文件：17.4 Kbytes 页数：1 Pages	ASI	ASI
MSC81111	文件：100.69 Kbytes Page：5 Pages	RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS DESCRIPTION The MSC81111 is a common base hermetically sealed silicon NPN microwave transistor utilizing a fishbone emitter ballasted geometry with a refractory/gold metallization system. This device is capable of withstanding an infinite load VSWR at any phase angle under rated rated conditions. 文件：100.69 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
MSC81111	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR	ASI Semiconductor	ASI Semiconductor
NCP81111	文件：280.39 Kbytes Page：28 Pages	High Speed Digital Controller 文件：280.39 Kbytes 页数：28 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCP81111MNDFTXG	文件：280.39 Kbytes Page：28 Pages	High Speed Digital Controller 文件：280.39 Kbytes 页数：28 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCP81111MNzzTXG	文件：280.39 Kbytes Page：28 Pages	High Speed Digital Controller 文件：280.39 Kbytes 页数：28 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

更多MSC81111供应商更新时间2025-12-22 16:01:00