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MSC81111中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

MSC81111

功能描述

RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

文件大小

100.69 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

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数据手册

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更新时间

2026-2-3 16:40:00

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MSC81111规格书详情

DESCRIPTION

The MSC81111 is a common base hermetically sealed silicon NPN microwave transistor utilizing a fishbone emitter ballasted geometry with a refractory/gold metallization system. This device is capable of withstanding an infinite load VSWR at any phase angle under rated rated conditions. The MSC81111 is designed for Class C amplifier applications in the 0.4 - 1.2 GHz frequency range.

■ EMITTER BALLASTED

■ REFRACTORY/GOLD METALLIZATION

■ VSWR CAPABILITY ∞:1 @ RATED CONDITIONS

■ HERMETIC STRIPAC PACKAGE

■ POUT = 5.0 W MIN. WITH 10 dB GAIN @ 1 GHz

产品属性

  • 型号:

    MSC81111

  • 制造商:

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全称:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

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