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MSC3930-BT1中文资料NPN RF Amplifier Transistor数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
MSC3930-BT1 |
| 参数属性 | MSC3930-BT1 封装/外壳为SC-70，SOT-323；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC70-3 |
| 功能描述 | NPN RF Amplifier Transistor |
| 封装外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 10:21:00 |
| 人工找货 | MSC3930-BT1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MSC3930-BT1规格书详情
描述 Description
NPN RF Amplifier Transistor
• Pb−Free Package is Available
简介
MSC3930-BT1属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的MSC3930-BT1晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号：
MSC3930-BT1
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
20V
- 频率 - 跃迁：
150MHz
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 1mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
30mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-70，SOT-323
- 供应商器件封装：
SC-70-3（SOT323）
- 描述：
RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC70-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
5000 |
公司存货 |
询价 | ||||
RENESAS |
QFN |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
MSC |
24+ |
SOP-8 |
5000 |
只做原装公司现货 |
询价 | ||
MSC |
2407+ |
SOP-8 |
7750 |
原装现货!实单直说!特价! |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
QFN |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
72000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
MORESEMI |
SOP-8 |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOP-8 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-323SC-70 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Microchip Technology |
23+ |
SMD |
3652 |
原厂正品现货供应SIC全系列 |
询价 |
