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MSASC25H45K/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：ThinKey™2 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：POWER SCHOTTKY	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MBR25H45CT	文件：160.8 Kbytes Page：5 Pages	DualCommon-CathodeSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR25H45CT	文件：95.5 Kbytes Page：3 Pages	DualHigh-VoltageSchottkyRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR25H45CT	文件：150.89 Kbytes Page：6 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBRB25H45CT	文件：104.76 Kbytes Page：5 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of245°C •AEC-Q101qualifie	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBRB25H45CT	文件：138.69 Kbytes Page：5 Pages	DualCommon-CathodeSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBRB25H45CT	文件：160.8 Kbytes Page：5 Pages	DualCommon-CathodeSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBRF25H45CT	文件：160.8 Kbytes Page：5 Pages	DualCommon-CathodeSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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MBRS25H45CT	文件：132.34 Kbytes Page：2 Pages	25.0AMPSSurfaceMountSchottkyBarrierRectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBRS25H45CT	文件：534.3 Kbytes Page：2 Pages	25.0AMPS.SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBRS25H45CT	文件：183.41 Kbytes Page：4 Pages	25.0AMPSSurfaceMountSchottkyBarrierRectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBRS25H45CT	文件：143.12 Kbytes Page：4 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MSASC25H45K	文件：76.45 Kbytes Page：2 Pages	LOWVOLTAGEDROPSCHOTTKYDIODE Features •Tungsten/PlatinumschottkybarrierforverylowVF •Oxidepassivatedstructureforverylowleakagecurrents •Guardringprotectionforincreasedreverseenergycapability •Epitaxialstructureminimizesforwardvoltagedrop •Hermeticallysealed,lowprofileceramicsurfacemoun	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MSASC25H45KR	文件：76.45 Kbytes Page：2 Pages	LOWVOLTAGEDROPSCHOTTKYDIODE Features •Tungsten/PlatinumschottkybarrierforverylowVF •Oxidepassivatedstructureforverylowleakagecurrents •Guardringprotectionforincreasedreverseenergycapability •Epitaxialstructureminimizesforwardvoltagedrop •Hermeticallysealed,lowprofileceramicsurfacemoun	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

产品属性

产品编号：
MSASC25H45K/TR
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
肖特基，反极性
电流 - 平均整流 (Io)：
25A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
ThinKey™2
供应商器件封装：
ThinKey™2
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
POWER SCHOTTKY

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	MSASC25H45K/TR	Microchip Technology	24+	ThinKey?2	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价
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更多MSASC25H45K/TR供应商更新时间2024-9-26 14:26:00

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