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MSASC25H45KR	文件：76.45 Kbytes Page：2 Pages	LOW VOLTAGE DROP SCHOTTKY DIODE Features •Tungsten/PlatinumschottkybarrierforverylowVF •Oxidepassivatedstructureforverylowleakagecurrents •Guardringprotectionforincreasedreverseenergycapability •Epitaxialstructureminimizesforwardvoltagedrop •Hermeticallysealed,lowprofileceramicsurfacemoun	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MBR25H45CT	文件：95.5 Kbytes Page：3 Pages	DualHigh-VoltageSchottkyRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBR25H45CT	文件：160.8 Kbytes Page：5 Pages	DualCommon-CathodeSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBR25H45CT	文件：150.89 Kbytes Page：6 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBRB25H45CT	文件：160.8 Kbytes Page：5 Pages	DualCommon-CathodeSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBRB25H45CT	文件：104.76 Kbytes Page：5 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of245°C •AEC-Q101qualifie	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBRB25H45CT	文件：138.69 Kbytes Page：5 Pages	DualCommon-CathodeSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBRF25H45CT	文件：138.69 Kbytes Page：5 Pages	DualCommon-CathodeSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBRF25H45CT	文件：160.8 Kbytes Page：5 Pages	DualCommon-CathodeSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBRS25H45CT	文件：132.34 Kbytes Page：2 Pages	25.0AMPSSurfaceMountSchottkyBarrierRectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
MBRS25H45CT	文件：143.12 Kbytes Page：4 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
MBRS25H45CT	文件：534.3 Kbytes Page：2 Pages	25.0AMPS.SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
MBRS25H45CT	文件：183.41 Kbytes Page：4 Pages	25.0AMPSSurfaceMountSchottkyBarrierRectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
MSASC25H45K	文件：76.45 Kbytes Page：2 Pages	LOWVOLTAGEDROPSCHOTTKYDIODE Features •Tungsten/PlatinumschottkybarrierforverylowVF •Oxidepassivatedstructureforverylowleakagecurrents •Guardringprotectionforincreasedreverseenergycapability •Epitaxialstructureminimizesforwardvoltagedrop •Hermeticallysealed,lowprofileceramicsurfacemoun	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

详细参数

型号：
MSASC25H45KR
制造商：
MICROSEMI
制造商全称：
Microsemi Corporation
功能描述：
LOW VOLTAGE DROP SCHOTTKY DIODE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MSASC25H45KR供应商更新时间2024-5-24 8:24:00

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