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MRF8S9200NR3	文件：294.44 Kbytes Page：13 Pages	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 920-960 MHz, 58 W AVG., 28 V SINGLE W-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for CDMA base station applications with frequencies from 920 to 960 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats. • Typical Single-Carrier W-CDMA Performance 文件：294.44 Kbytes 页数：13 Pages	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MRF8S9200NR3	文件：491.92 Kbytes Page：13 Pages	RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET 文件：491.92 Kbytes 页数：13 Pages	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
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更多MRF8S9200NR3供应商更新时间2025-10-14 11:02:00