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MRF8S9200NR3	文件：294.44 Kbytes Page：13 Pages	RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 920-960MHz,58WAVG.,28VSINGLEW-CDMALATERALN-CHANNELRFPOWERMOSFET DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom920to960MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. •TypicalSingle-CarrierW-CDMAPerformance	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
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RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

920-960MHz,58WAVG.,28VSINGLEW-CDMALATERALN-CHANNELRFPOWERMOSFET DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom920to960MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. •TypicalSingle-CarrierW-CDMAPerformance

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

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freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

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RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

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详细参数

型号：
MRF8S9200NR3
功能描述：
射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHz 58W OM780-2
RoHS：
否
制造商：
Freescale Semiconductor
配置：
Single
频率：
1800 MHz to 2000 MHz
增益：
27 dB
输出功率：
100 W
封装/箱体：
NI-780-4
封装：
Tray

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