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MRF8S9102NR3	文件：813.97 Kbytes Page：16 Pages	RF Power Field Effect Transistor 865--960 MHz, 28 W AVG., 28 V SINGLE W--CDMA LATERAL N--CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for CDMA base station applications with frequencies from 865 to 960 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats. • Typical Single--Carrier W--CDMA Perfor 文件：813.97 Kbytes 页数：16 Pages	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MRF9080LR5	文件：0 bytes Page：0 Pages	FREESCALE TO-272	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体上传：深圳庞田科技有限公司	freescale
MRF9080R3	文件：0 bytes Page：0 Pages	FREESCALE TO-272	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体上传：深圳庞田科技有限公司	freescale
MRF9511	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON SOT143	ON 上传：深圳市英科美电子有限公司	ON
MRFE6S9060NR1	文件：0 bytes Page：0 Pages	FREESCAL TO270-2	FREESCAL 上传：深圳市正纳电子有限公司	FREESCAL

详细参数

型号：
MRF8S9102NR3
功能描述：
射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 50W OM780-2
RoHS：
否
制造商：
Freescale Semiconductor
配置：
Single
频率：
1800 MHz to 2000 MHz
增益：
27 dB
输出功率：
100 W
封装/箱体：
NI-780-4
封装：
Tray

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