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MRF8S21200HSR6 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 射频 NXP/恩智浦
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原厂料号:MRF8S21200HSR6品牌:NXP
只做原装现货
MRF8S21200HSR6是分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。制造商NXP/NXP USA Inc.生产封装NI1230S/NI-1230S的MRF8S21200HSR6晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 类型
描述
- 产品编号:
MRF8S21200HSR6
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
LDMOS(双)
- 频率:
2.14GHz
- 增益:
18.1dB
- 功率 - 输出:
48W
- 封装/外壳:
NI-1230S
- 供应商器件封装:
NI-1230S
- 描述:
FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS
供应商
- 企业:
深圳市安富世纪电子有限公司
- 商铺:
- 联系人:
赵妍
- 手机:
18100277303
- 询价:
- 电话:
0755-23991454
- 地址:
深圳市福田区华强北路1019号华强广场A栋17E
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