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MRF8S18260HSR6

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs Designed for CDMA and multicarrier base station applications with frequencies from 1805 to 1880 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats. • Typical Single--Car

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freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF8S8260HSR3

FREESCALE
SMD

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

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MRF9080LR5

FREESCALE
TO-272

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

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MRF9080R3

FREESCALE
TO-272

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳庞田科技有限公司

MRF9511

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SOT143

ON

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更多MRF8S18260HSR6供应商 更新时间2025-10-7 9:12:00