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MRF8S18260HSR6

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs DesignedforCDMAandmulticarrierbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1805to1880MHz.CanbeusedinClassABandClassCforalltypicalcellularbasestationmodulationformats. •TypicalSingle--Car

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

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更多MRF8S18260HSR6供应商 更新时间2025-7-26 9:12:00