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MRF8S18260HR6	文件：510.79 Kbytes Page：14 Pages	RF Power Field Effect Transistors RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs Designed for CDMA and multicarrier base station applications with frequencies from 1805 to 1880 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats. • Typical Single--Car 文件：510.79 Kbytes 页数：14 Pages	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MRF8S8260HSR3	文件：0 bytes Page：0 Pages	FREESCALE SMD	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体上传：深圳市河锋鑫科技有限公司	freescale
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更多MRF8S18260HR6供应商更新时间2025-10-6 14:32:00