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MRF8P20160HSR3分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MRF8P20160HSR3 |
| 参数属性 | MRF8P20160HSR3 封装/外壳为NI-780S-4L；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：FET RF 2CH 65V 1.92GHZ |
| 功能描述 | RF Power Field Effect Transistors |
| 文件大小 |
874.65 Kbytes |
| 页面数量 |
17 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-22 16:58:00 |
MRF8P20160HSR3规格书详情
MRF8P20160HSR3属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的MRF8P20160HSR3晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号：
MRF8P20160HSR3
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
LDMOS（双）
- 频率：
1.92GHz
- 增益：
16.5dB
- 功率 - 输出：
37W
- 封装/外壳：
NI-780S-4L
- 供应商器件封装：
NI-780S-4L
- 描述：
FET RF 2CH 65V 1.92GHZ
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
23+ |
315 |
现货供应 |
询价 | |||
FREESCALE |
21+ |
NI-780S |
35400 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
FREESCALE |
SMD |
265209 |
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FREESCALE |
SI-789S-4 |
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FREESCALE |
23+ |
NA |
2587 |
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FREESCALE |
17+ |
NI-780S |
6200 |
100%原装正品现货 |
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FREESCA |
21+ |
NI-780S |
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原装现货价格优势 |
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FREESCALE |
22+ |
NI-780S-4 |
10000 |
原装正品,支持实单 |
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FREESCALE |
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SMD |
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