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MRF8P20160HSR3分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MRF8P20160HSR3 |
| 参数属性 | MRF8P20160HSR3 封装/外壳为NI-780S-4L；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 2CH 65V 1.92GHZ |
| 功能描述 | RF Power Field Effect Transistors |
| 封装外壳 | NI-780S-4L |
| 文件大小 |
874.65 Kbytes |
| 页面数量 |
17 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-24 23:01:00 |
| 人工找货 | MRF8P20160HSR3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号：
MRF8P20160HSR3
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
LDMOS（双）
- 频率：
1.92GHz
- 增益：
16.5dB
- 功率 - 输出：
37W
- 封装/外壳：
NI-780S-4L
- 供应商器件封装：
NI-780S-4L
- 描述：
FET RF 2CH 65V 1.92GHZ
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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