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MRF8P20160H分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
![MRF8P20160H](https://img.114ic.com/dgk/Photos/Freescale%20Photos/MFG_568;-SOT1827-1;-H;-4.jpg)
厂商型号 |
MRF8P20160H |
参数属性 | MRF8P20160H 封装/外壳为NI-780-4;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:FET RF 2CH 65V 1.92GHZ |
功能描述 | RF Power Field Effect Transistors |
文件大小 |
874.65 Kbytes |
页面数量 |
17 页 |
生产厂商 | NXP Semiconductors |
企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-16 23:15:00 |
MRF8P20160H规格书详情
MRF8P20160H属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的MRF8P20160H晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号:
MRF8P20160HR5
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
LDMOS(双)
- 频率:
1.92GHz
- 增益:
16.5dB
- 功率 - 输出:
37W
- 封装/外壳:
NI-780-4
- 供应商器件封装:
NI-780-4
- 描述:
FET RF 2CH 65V 1.92GHZ
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
23+ |
NI-780-4 |
30000 |
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询价 | ||
NXP/恩智浦 |
21+ |
NI-780-4 |
6000 |
原装现货 |
询价 | ||
Freescale(飞思卡尔) |
23+ |
NA/ |
8735 |
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2020+ |
NI-780S |
80000 |
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990000 |
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FREESCALE |
23+ |
NI-780S |
20000 |
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FREESCALE |
21+ |
NI-780S |
35400 |
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SMD |
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NXP/恩智浦 |
21+ |
NI-780-4 |
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