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MRF6V2300NBR1中文资料PDF规格书

MRF6V2300NBR1
厂商型号

MRF6V2300NBR1

参数属性

MRF6V2300NBR1 封装/外壳为TO-272BB;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:FET RF 110V 220MHZ TO-272-4

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

文件大小

687.18 Kbytes

页面数量

19

生产厂商 Freescaleiscreatingasmarter
企业简称

freescale飞思卡尔

中文名称

飞思卡尔官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-10 22:59:00

MRF6V2300NBR1规格书详情

RF Power Field Effect Transistors

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

Designed primarily for CW large--signal output and driver applications with frequencies up to 600 MHz. Devices are unmatched and are suitable for use in industrial, medical and scientific applications.

• Typical CW Performance: VDD=50Volts,IDQ= 900 mA,

Pout= 300 Watts, f = 220 MHz

Power Gain ó 25.5 dB

Drain Efficiency ó 68

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 50 Vdc, 220 MHz, 300 Watts CW Output Power

Features

• Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters

• Qualified Up to a Maximum of 50 VDDOperation

• Integrated ESD Protection

• 225°C Capable Plastic Package

• RoHS Compliant

• In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.

产品属性

  • 产品编号:

    MRF6V2300NBR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    220MHz

  • 增益:

    25.5dB

  • 功率 - 输出:

    300W

  • 封装/外壳:

    TO-272BB

  • 供应商器件封装:

    TO-272 WB-4

  • 描述:

    FET RF 110V 220MHZ TO-272-4

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