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MRF6V2300N中文资料PDF规格书
厂商型号 |
MRF6V2300N |
参数属性 | MRF6V2300N 封装/外壳为TO-272BB;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 |
功能描述 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
文件大小 |
208.63 Kbytes |
页面数量 |
8 页 |
生产厂商 | Freescaleiscreatingasmarter |
企业简称 |
freescale【飞思卡尔】 |
中文名称 | 飞思卡尔官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-10 20:00:00 |
MRF6V2300N规格书详情
RF Power Field Effect Transistors
N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
Designed primarily for CW large--signal output and driver applications with frequencies up to 600 MHz. Devices are unmatched and are suitable for use in industrial, medical and scientific applications.
• Typical CW Performance: VDD=50Volts,IDQ= 900 mA,
Pout= 300 Watts, f = 220 MHz
Power Gain ó 25.5 dB
Drain Efficiency ó 68
• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 50 Vdc, 220 MHz, 300 Watts CW Output Power
Features
• Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters
• Qualified Up to a Maximum of 50 VDDOperation
• Integrated ESD Protection
• 225°C Capable Plastic Package
• RoHS Compliant
• In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.
产品属性
- 产品编号:
MRF6V2300NBR5
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
220MHz
- 增益:
25.5dB
- 功率 - 输出:
300W
- 封装/外壳:
TO-272BB
- 供应商器件封装:
TO-272 WB-4
- 描述:
FET RF 110V 220MHZ TO-272-4
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Freescale(飞思卡尔) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
fcs |
23+ |
高频管 |
155 |
专营高频管模块,全新原装! |
询价 | ||
NXP-恩智浦 |
24+25+/26+27+ |
TO-59.高频管 |
18800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
FREESCALE |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
Fairchild |
07+/08+ |
7500 |
询价 | ||||
FREESCA |
18+ |
TO-272 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
NXP |
1701+ |
? |
11520 |
只做原装进口,假一罚十 |
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NXP |
24+ |
N/A |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
询价 | ||
NXP |
23+ |
TO270 WB4 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
NXP USA Inc. |
2022+ |
TO-270 WB-4 |
38550 |
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询价 |