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MRF6S19100N

RFPowerFieldEffectTransistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforN-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1930to1990MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplicat

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更多MRF6S19100HSMD供应商 更新时间2024-6-3 17:32:00