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MSD601-RT1	文件：40.8 Kbytes Page：1 Pages	NPN General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount NPN General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount 文件：40.8 Kbytes 页数：1 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MSD601-RT1	文件：110.85 Kbytes Page：4 Pages	NPN General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount? NPN General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount 文件：110.85 Kbytes 页数：4 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MSD601-RT1	文件：78.91 Kbytes Page：1 Pages	NPN General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount NPN General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount 文件：78.91 Kbytes 页数：1 Pages	ETL 亚历电子	ETL
MSD601-RT1	文件：48.47 Kbytes Page：4 Pages	NPN General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount 文件：48.47 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSD601-RT1	文件：85.41 Kbytes Page：3 Pages	NPN General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount 文件：85.41 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSD601-RT1	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount	LRC 乐山无线电	LRC
MSD601-RT1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：剪切带（CT）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.1A SC59	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSD601-RT1_12	文件：85.41 Kbytes Page：3 Pages	NPN General Purpose Amplifier Transistors Surface Mount 文件：85.41 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MSD601-RT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.1A SC59	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MSD601-RT1
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
210 @ 2mA，10V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SC-59
描述：
TRANS NPN 50V 0.1A SC59

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