MRF581G 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 MICROSEMI/美高森美

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1+	面议

厂家型号：
MRF581G
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
生产厂商：
Microse
库存数量：
5660
产品封装：
to-51
生产批号：
24+
库存类型：
优势库存
更新时间：
2025-10-30 15:59:00

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详细信息
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原厂料号：MRF581G品牌：Microse

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MRF581G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商Microse/Microsemi Corporation生产封装to-51/微型-X 陶瓷 84C的MRF581G晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
MRF581G
规格书：
下载下载2
企业简称：
MICROSEMI【美高森美】详情
厂商全称：
Microsemi Corporation
中文名称：
美高森美半导体公司
内容页数：
6 页
文件大小：
162.77 kb
资料说明：
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

产品属性

类型
描述
产品编号：
MRF581G
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
18V
频率 - 跃迁：
5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
增益：
13dB ~ 15.5dB
功率 - 最大值：
1.25W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 50mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
200mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
微型-X 陶瓷 84C
供应商器件封装：
微型-X 陶瓷 84C
描述：
RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X

供应商

企业：
深圳市欧立现代科技有限公司
商铺：
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联系人：
胡先生/朱先生/林小姐
手机：
18033057686
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传真：
0755-83238256
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深圳市福田区华强北赛格科技园三栋东座10楼A2室

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