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MRF5812R1 分立半导体产品晶体管 - 双极(BJT)- 射频 ONSEMI/安森美半导体
- 详细信息
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产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
MRF5812R1
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 类别:
- 包装:
带
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
15V
- 频率 - 跃迁:
5GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
2dB ~ 3dB @ 500MHz
- 增益:
13dB ~ 15.5dB
- 功率 - 最大值:
1.25W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
50 @ 50mA,5V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
200mA
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SO
- 描述:
RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
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