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MRF4427GR1数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

厂商型号 |
MRF4427GR1 |
参数属性 | MRF4427GR1 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 20V 8SO |
功能描述 | RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets |
封装外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
制造商 | Microchip Microchip Technology |
中文名称 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-9 11:01:00 |
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技术参数
- 产品编号:
MRF4427GR1
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
带
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
20V
- 增益:
20dB
- 功率 - 最大值:
1.5W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
10 @ 10mA,5V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
400mA
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SO
- 描述:
RF TRANS NPN 20V 8SO
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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