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MRF19030L中文资料1930-1990 MHz, 30 W, 26 V Lateral N-Channel RF Power MOSFETs数据手册恩XP规格书

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厂商型号

MRF19030L

功能描述

1930-1990 MHz, 30 W, 26 V Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-23 20:00:00

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MRF19030L规格书详情

描述 Description

Overview The MRF19030LR3 and MRF19030LSR3 are designed for Class AB PCN and PCS base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.
Archived content is no longer updated and is made available for historical reference only.

特性 Features


•CDMA Performance @ 1930 MHz, 26 Volts
IS-95 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Thru 13
\t885 kHz:  –47 dBc in 30 kHz BW
\t1.25 MHz:  –55 dBc in 12.5 kHz BW
\t2.25 MHz:  –55 dBc in 1 MHz BW
\tOutput Power:  4.5 Watts Avg.
\tPower Gain:  13.5 dB
\tEfficiency:  17%

•Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1960 MHz, 30 Watts CW Output Power

•Internally Matched for Ease of Use

•High Gain, High Efficiency and High Linearity

•Integrated ESD Protection

•Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

•Excellent Thermal Stability

•Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

•Low Gold Plating Thickness on Leads, 40µ″ Nominal.

•RoHS Compliant

•In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 Inch Reel.

技术参数

  • 型号:

    MRF19030L

  • 功能描述:

    IC MOSFET RF N-CHAN NI-400

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装:

    3,000

  • 晶体管类型:

    N 通道 JFET

  • 频率:

    -

  • 增益:

    - 电压 -

  • 测试:

    -

  • 额定电流:

    30mA

  • 噪音数据:

    - 电流 -

  • 测试:

    - 功率 -

  • 输出:

    - 电压 -

  • 额定:

    25V

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 产品目录页面:

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

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