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MRF18090AR3规格书详情
1.80-1.88 GHz, 90 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET
Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 1.8 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for GSM and GSM EDGE cellular radio applications.
• GSM and GSM EDGE Performances, Full Frequency Band
Power Gain — 13.5 dB (Typ) @ 90 Watts CW
Efficiency — 52 (Typ) @ 90 Watts CW
• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 90 Watts CW Output Power
Features
• Internally Matched for Ease of Use
• High Gain, High Efficiency and High Linearity
• Integrated ESD Protection
• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness
• Excellent Thermal Stability
• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
• RoHS Compliant
• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.
产品属性
- 型号：
MRF18090AR3
- 功能描述：
IC MOSFET RF N-CHAN NI-880
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列：
-
- 产品目录绘图：
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装：
3,000
- 晶体管类型：
N 通道 JFET
- 频率：
-
- 增益：
- 电压 -
- 测试：
-
- 额定电流：
30mA
- 噪音数据：
- 电流 -
- 测试：
- 功率 -
- 输出：
- 电压 -
- 额定：
25V
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 包装：
带卷(TR)
- 产品目录页面：
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
24+ |
NA/ |
298 |
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高频管 |
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SMD |
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NI-880 |
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