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MRF18030BLR3	文件：351.3 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. Specified for GSM 1930-1990 MHz. • Typical GSM Performanc 文件：351.3 Kbytes 页数：8 Pages	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MRF18085ALSR3	文件：0 bytes Page：0 Pages	NI-780S	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体上传：深圳庞田科技有限公司	freescale
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型号：
MRF18030BLR3
制造商：
FREESCALE
制造商全称：
Freescale Semiconductor, Inc
功能描述：
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

更多MRF18030BLR3供应商更新时间2025-12-10 16:31:00