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MRF18030ALR3	文件：343.23 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistors RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. Specified for GSM 1805-1880 MHz. • Typical GSM Performanc 文件：343.23 Kbytes 页数：8 Pages	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MRF18030ALR3	文件：508.05 Kbytes Page：8 Pages	RF Power Field Effect Transistors 文件：508.05 Kbytes 页数：8 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
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更多MRF18030ALR3供应商更新时间2025-12-15 14:09:00