MRF158分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
MRF158规格书详情
The RF TMOS® Line
Power Field Effect Transistor
N–Channel Enhancement Mode
Designed for wideband large–signal amplifier and oscillator applications to
500 MHz.
• Guaranteed 28 Volt, 400 MHz Performance
Output Power = 2.0 Watts
Minimum Gain = 16 dB
Efficiency = 55 (Typical)
• Grounded Source Package for High Gain and Excellent Heat Dissipation (MRF158R)
• Facilitates Manual Gain Control, ALC and Modulation Techniques
• 100 Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 30:1 VSWR
• Excellent Thermal Stability, Ideally Suited for Class A Operation
• Circuit board photomaster available upon request by contacting RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.
产品属性
- 产品编号：
MRF158
- 制造商：
MACOM Technology Solutions
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 系列：
TMOS®
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
N 通道
- 频率：
500MHz
- 增益：
18dB
- 额定电流（安培）：
500mA
- 功率 - 输出：
2W
- 封装/外壳：
305A-01
- 供应商器件封装：
305A-01，2 型
- 描述：
FET RF 65V 500MHZ 305A-01
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