MRF141G分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

厂商型号	MRF141G
参数属性	MRF141G 封装/外壳为375-04；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 2CH 65V 175MHZ 375-04
功能描述	N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET
封装外壳	375-04
文件大小	143.32 Kbytes
页面数量	6 页
生产厂商	MOTOROLA
中文名称	摩托罗拉
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更新时间	2026-2-10 11:35:00
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MRF141G规格书详情

The RF MOSFET Line

RF Power Field-Effect Transistor

N–Channel Enhancement–Mode MOSFET

Designed for broadband commercial and military applications at frequencies to 175 MHz. The high power, high gain and broadband performance of this device makes possible solid state transmitters for FM broadcast or TV channel frequency bands.

• Guaranteed Performance at 175 MHz, 28 V:

Output Power — 300 W

Gain — 12 dB (14 dB Typ)

Efficiency — 50

• Low Thermal Resistance — 0.35°C/W

• Ruggedness Tested at Rated Output Power

• Nitride Passivated Die for Enhanced Reliability

产品属性

产品编号：
MRF141G
制造商：
MACOM Technology Solutions
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
2 N 沟道（双）共源
频率：
175MHz
增益：
14dB
额定电流（安培）：
32A
功率 - 输出：
300W
封装/外壳：
375-04
供应商器件封装：
375-04，2 型
描述：
FET RF 2CH 65V 175MHZ 375-04

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