MRF10031中文资料新泽西半导体数据手册PDF规格书
| 厂商型号 |
MRF10031 |
| 参数属性 | MRF10031 封装/外壳为332A-03；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频；产品描述：RF TRANS NPN 55V 332A-03 |
| 功能描述 | Microwave Long Pulse Power Transistor |
| 文件大小 |
157.34 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企业简称 |
NJSEMI【新泽西半导体】 |
| 中文名称 | 新泽西半导体产品股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-9-25 18:39:00 |
MRF10031规格书详情
Designed for 960–1215 MHz long or short pulse common base amplifier applications such as JTIDS and Mode–S transmitters.
• Guaranteed Performance @ 960 MHz, 36 Vdc
Output Power = 30 Watts Peak
Minimum Gain = 9.0 dB Min (9.5 dB Typ)
• 100 Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 10:1 VSWR
• Hermetically Sealed Industry Standard Package
• Silicon Nitride Passivated
• Gold Metallized, Emitter Ballasted for Long Life and Resistance to Metal Migration
• Internal Input Matching for Broadband Operation
产品属性
- 产品编号：
MRF10031
- 制造商：
MACOM Technology Solutions
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
55V
- 增益：
9.5dB
- 功率 - 最大值：
30W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 500mA，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
3A
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
332A-03
- 供应商器件封装：
332A-03，2 型
- 描述：
RF TRANS NPN 55V 332A-03
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MACOM |
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