MR4A16BCYS35R磁阻随机存取存储器(MRAM)16Mb3.3V35ns2Mx8Parallel磁阻随机存取存储器(MRAM)

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	面议

厂家型号：
MR4A16BCYS35R
产品分类：
存储器
生产厂商：
EVERSPIN
库存数量：
5000
产品封装：
TSOP-54
生产批号：
23+
库存类型：
现货库存
更新时间：
2024-3-11 14:26:00

数据手册更多货源

详细信息
规格书下载

原厂料号：MR4A16BCYS35R品牌：EVERSPIN

全新原装正品公司现货

磁阻随机存取存储器(MRAM)16Mb3.3V35ns2Mx8Parallel磁阻随机存取存储器(MRAM)

MR4A16BCYS35R是集成电路（IC） > 存储器。制造商EVERSPIN/Everspin Technologies Inc.生产封装TSOP-54/54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）的MR4A16BCYS35R存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。

芯片型号：
MR4A16BCYS35R
规格书：
下载下载2
企业简称：
EVERSPIN详情
厂商全称：
Everspin Technologies Inc.
中文名称：
Everspin科技
内容页数：
16 页
文件大小：
909.08 kb
资料说明：
1M x 16 MRAM

产品属性

类型
描述
产品编号：
MR4A16BCYS35R
制造商：
Everspin Technologies Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
RAM
技术：
MRAM（磁阻式 RAM）
存储容量：
16Mb（1M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
35ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
54-TSOP2
描述：
IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2

供应商

企业：
深圳市鸿瑞鑫科技有限公司
联系人：
侯先生
手机：
13717016556
询价：
电话：
0755-82510221
传真：
0755-83349417
地址：
深圳市福田区华强北街道赛格广场6504B

MR4A16BCYS35R磁阻随机存取存储器(MRAM)16Mb3.3V35ns2Mx8Parallel磁阻随机存取存储器(MRAM)

MR4A16BCYS35R

产品属性

供应商

相关型号

相近型号