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PMBD6050	文件：73.12 Kbytes Page：12 Pages	High-speeddiode DESCRIPTION ThePMBD6050isahigh-speedswitchingdiodefabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinthesmallSOT23plasticSMDpackage. FEATURES •SmallplasticSMDpackage •Highswitchingspeed:max.4ns •Continuousreversevoltage:max.70V •Repetitivepeakreversevoltage:	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMBD6050	文件：313.06 Kbytes Page：1 Pages	High-speeddiode FEATURES •SmallplasticSMDpackage •Highswitchingspeed:max.4ns •Continuousreversevoltage:max.70V •Repetitivepeakreversevoltage:max.85V •Repetitivepeakforwardcurrent:max.500mA. APPLICATIONS •High-speedswitchinginthickandthin-filmcircuits. DESCRIPTION ThePM	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
REF6050	文件：2.35155 Mbytes Page：37 Pages	High-PrecisionVoltageReferenceWithIntegratedADCDriveBuffer	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
REF6050IDGKR	文件：2.35155 Mbytes Page：37 Pages	High-PrecisionVoltageReferenceWithIntegratedADCDriveBuffer	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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RL-6050	文件：1.26928 Mbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPOWERINDUCTORS	RENCO RENCO ELECTRONICS	RENCO
RU6050L	文件：282.46 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司	RUICHIPS
RU6050L	文件：1.43637 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
RU6050R	文件：979.51 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RU6050R	文件：292.36 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司	RUICHIPS

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