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NDP6050	文件：66.47 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDP6050	文件：295.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=48A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDP6050L	文件：66.55 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheselogiclevelN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingpe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDP6050L	文件：295.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=48A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NEURON6050	文件：6.10311 Mbytes Page：4 Pages	IPProcessorforIzoTTMEnabledDevices	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
NJU6050	文件：108.8 Kbytes Page：8 Pages	HighEfficiencyWhiteLEDDriver	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
OF6050	文件：40.65 Kbytes Page：2 Pages	Silanolterminatedvinylmethylsiloxane-dimethylsiloxanecopolymer	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
OM6050SJ	文件：29.95 Kbytes Page：2 Pages	HIGHCURRENTMOSFETINISOLATED,TO-267HERMETICPACKAGE,SIZE7DIE,LOWRDS(on) DESCRIPTION ThisseriesofhermeticallypackagedproductsfeaturethelatestadvancedMOSFETandpackagingtechnology.TheyareideallysuitedforMilitaryrequirementswheresmallsize,highperformanceandhighreliabilityarerequired,andinapplicationssuchasswitchingpowersupplies,moto	IRF International Rectifier	IRF
PE6050	文件：77.16 Kbytes Page：1 Pages	SMCJACKRESISTORTERMINATION	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
PE6050K	文件：887.25 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER

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