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MPSL51	文件：23.27 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Amplifier PNP General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring high voltages. Sourced from Process 74. See 2N5401 for characteristics. 文件：23.27 Kbytes 页数：2 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MPSL51	文件：370.77 Kbytes Page：3 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● General Purpose Amplifier 文件：370.77 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
MPSL51	文件：882.65 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR Amplifier Transistor. 文件：882.65 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
MPSL51	文件：187.24 Kbytes Page：6 Pages	Amplifier Transistor Amplifier Transistor PNP Silicon 文件：187.24 Kbytes 页数：6 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MPSL51	文件：20.68 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) 文件：20.68 Kbytes 页数：1 Pages	Central	Central
MPSL51	文件：295.7 Kbytes Page：7 Pages	PNP General Purpose Amplifier 文件：295.7 Kbytes 页数：7 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
MPSL51
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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