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MPSH10RLRPG分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
MPSH10RLRPG |
参数属性 | MPSH10RLRPG 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线);包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 |
功能描述 | VHF/UHF Transistors NPN Silicon |
封装外壳 | TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线) |
文件大小 |
82.71 Kbytes |
页面数量 |
3 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ONSEMI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 18:04:00 |
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MPSH10RLRPG规格书详情
MPSH10RLRPG属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由安森美半导体公司制造生产的MPSH10RLRPG晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 产品编号:
MPSH10RLRPG
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
25V
- 频率 - 跃迁:
650MHz
- 功率 - 最大值:
350mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
60 @ 4mA,10V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线)
- 供应商器件封装:
TO-92(TO-226)
- 描述:
RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC袋装 |
23+ |
TO-92 |
3200 |
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